2023-2026年臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫,受理申請至112年1月10日(二)止

一、國科會與美國國家科學基金會(NSF)共同徵求2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫(ACED Fab Program)」,徵求重點摘要如下:
(一)本項徵件為半導體領域合作計畫,計畫書須由臺灣及美國雙方計畫主持人共同研議完成並提出中、英文合作申請書,分別提送國科會及美國國家科學基金會(NSF)。
(二)臺方須符合國科會專題研究計畫主持人及共同主持人資格,且僅限申請及參與一件計畫;申請案構想書(Research Concept Outline, RCO) 須獲美方(NSF)回應符合計畫目標。
(三)合作領域:
1、高效能、低延遲、低功耗系統電路
2、具人工智慧功能邊緣運算SOC
3、量子電腦/通訊關鍵電路
4、新興異質整合半導體
(四)臺方計畫主持人應配合美方計畫主持人,於2022年12月13日前,繳交申請案構想書(RCO),相關格式依美方規定辦理,並同時以電子郵件寄送予國科會臺方聯絡人,據與美方核對申請資料。
(五)國科會與美方NSF將於11月15日及23日共同舉辦「臺美先進系統晶片設計(ACED Fab)學術研討會(線上會議)」,後續請留意國科會網頁相關資訊。
(六)申請期限:構想書獲美方(NSF)正面回應者,請於112年1月10日(二)前完成完整計畫書線上申請,以利本校於112年1月17日(二)前備函向國科會申請。
二、相關說明及詳細內容請參考國科會網頁(請點選)。