一、本計畫推動國內學界與產業共同投入寬能隙材料和元件研究，培育基礎材料、元件和系統應用人才，並於寬能隙材料和元件發展中，結合矽基元件技術和產業，持續開發自主領先技術，為我國產業在下世代寬能隙半導體奠定基礎。計畫摘要如下：
(一)研究項目：
1.B5G/6G高頻通訊關鍵半導體技術：專注於氮化鎵(GaN)、磷化銦(InP)於超高速的元件技術開發。
2.寬能隙高壓功率半導體技術：專注於氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化鎵(Ga2O3)及鑽石(Diamond)等寬能隙材料。
(二)計畫類型：以申請單一整合型研究計畫為限。
(三)執行期間：須規劃申請4年期計畫，自111年5月1日至115年4月3 0日。
(四)計畫類別：屬「專題類-隨到隨審計畫」；計畫類別為「一般策略專案計畫」；研究型別為「整合型」；計畫歸屬為「工程司」；學門代碼為「E9870-次世代化合物半導體前瞻研發計畫」。
(五)其他：
1.CM03研究計畫內容頁數以不超過60頁為限。
2.未獲通過者，科技部不接受申覆。
二、如有意申請者，請於111年1月19日(三)前完成科技部系統申請，以利本校於111年1月26日(三)前備函向科技部申請。
三、相關說明及詳細內容，請參考科技部徵件公告（請點選）。
